Canale P 50 V 130mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
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BSS84-H

Codice DigiKey
2832-BSS84-HTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
onsemi
Codice produttore
BSS84-H
Descrizione
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 50 V 130mA (Ta) 360mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale P
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
130mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
5V
RDSon (max) a Id, Vgs
10ohm a 100mA, 5V
Vgs(th) max a Id
2V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
1.3 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
73 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23-3
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base
BSS84
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