Name: BSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BSS123LT1GOSTR-ND
Price: 0.3172 EUR
Availability: InStock

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BSS123LT1G
Codice DigiKey	BSS123LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BSS123LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	BSS123LT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	44 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BSS123LT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,6V a 1mA
Produttore onsemi	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 170mA (Ta)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base BSS123
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 100mA, 10V

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
BSS123_R1_00001	Panjit International Inc.	9 058	3757-BSS123_R1_00001CT-ND	€ 0,20000	Simile
TQM123KCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	1 830	1801-TQM123KCXRFGCT-ND	€ 0,29000	Simile