Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 6.8076 EUR
Availability: InStock

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AFGB40T65SQDN
Codice DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	AFGB40T65SQDN
Descrizione	IGBT 650V 80A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 650 V 80 A 238 W A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AFGB40T65SQDN Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli	Carica del gate 76 nC
Produttore onsemi	Td (on/off) a 25°C 17,6ns/75,2ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Condizione di test 400V, 40A, 6ohm, 15V
Stato componente Attivo	Tempo di recupero inverso (Trr) 131 ns
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 650 V	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Collettore (Ic) max 80 A	Grado Automobilistico
Corrente - Pulsata collettore (Icm) 160 A	Qualifica AEC-Q101
Vce(on) max a Vge, Ic 2,1V a 15V, 40A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Potenza - Max 238 W	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Energia di commutazione 858µJ (on), 229µJ (off)	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Tipo di ingresso Standard	Codice componente base AFGB40