3LP01M-TL-E onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

3LP01M-TL-E è obsoleto e non è più in produzione.

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3LP01M-TL-E
Codice DigiKey	3LP01M-TL-E-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	3LP01M-TL-E
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 100MA 3MCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) A montaggio superficiale MCP
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	3LP01M-TL-E Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,5V, 4V
RDSon (max) a Id, Vgs	10,4ohm a 50mA, 4V
Vgs(th) max a Id	-
Carica del gate (Qg) max a Vgs	1.43 nC @ 10 V
Vgs (max)	±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	7.5 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	150mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	MCP
Contenitore/involucro	SC-70, SOT-323
Codice componente base	3LP01