Name: RSC002P03T316
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSC002P03T316TR-ND
Price: 0.2684 EUR
Availability: InStock

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RSC002P03T316
Codice DigiKey	RSC002P03T316TR-ND - Nastrato in bobina (TR) RSC002P03T316CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) RSC002P03T316DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	RSC002P03T316
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 250MA SST3
Tempi di consegna standard del produttore	21 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) A montaggio superficiale SST3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	RSC002P03T316 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale P
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	250mA (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,4ohm a 250mA, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 1mA
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	30 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	200mW (Ta)
Temperatura di funzionamento	150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SST3
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Codice componente base	RSC002

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Nastrato in bobina (TR)