2SK545-11D-TB-E è obsoleto e non è più in produzione.
Sostituti disponibili:

Consigliato dal produttore


onsemi
In magazzino: 32 535
Prezzo unitario : € 0,57000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 0
Prezzo unitario : € 0,46000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 9 893
Prezzo unitario : € 0,38000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 4 729
Prezzo unitario : € 0,55000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 55 634
Prezzo unitario : € 0,44000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 8 841
Prezzo unitario : € 0,47000
Scheda tecnica

Simile


onsemi
In magazzino: 2 521
Prezzo unitario : € 0,39000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 14 109
Prezzo unitario : € 0,53000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 23 992
Prezzo unitario : € 0,53000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 15 519
Prezzo unitario : € 0,57000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 5 848
Prezzo unitario : € 0,53000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 52 048
Prezzo unitario : € 0,60000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 17 546
Prezzo unitario : € 0,63000
Scheda tecnica

Simile


Toshiba Semiconductor and Storage
In magazzino: 11 222
Prezzo unitario : € 0,63000
Scheda tecnica
2SK932-24-TB-E
Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

2SK545-11D-TB-E

Codice DigiKey
2SK545-11D-TB-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
2SK545-11D-TB-E
Descrizione
JFET N-CH 1MA SMCP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
JFET Canale N 1 mA 125 mW A montaggio superficiale SMCP
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
2SK545-11D-TB-E Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
onsemi
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain (Idss) a Vds (Vgs=0)
60 µA @ 10 V
Drain di corrente (Id) - Max
1 mA
Tensione - Soglia (VGS off) a Id
1.5 V @ 1 µA
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1,7pF a 10V
Potenza - Max
125 mW
Temperatura di funzionamento
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Contenitore del fornitore
SMCP
Codice componente base
Domande e risposte sui prodotti

Scopri cosa chiedono gli ingegneri, poni le tue domande o aiuta un membro della comunità tecnica DigiKey

Obsoleto
Questo prodotto non più in produzione. Visualizza Articoli sostitutivi.
Non annullabile/Non restituibile