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2SB1202T-TL-E | |
|---|---|
Codice DigiKey | 2SB1202T-TL-EOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 2SB1202T-TL-E |
Descrizione | TRANS PNP 50V 3A TP-FA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli PNP 50 V 3 A 150MHz 1 W A montaggio superficiale TP-FA |
Modelli EDA/CAD | 2SB1202T-TL-E Modelli |
Categoria | Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 200 a 100mA, 2V |
Produttore | Potenza - Max 1 W |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 150MHz |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tipo di transistor | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Collettore (Ic) max 3 A | Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50 V | Contenitore del fornitore TP-FA |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 700mV a 100mA, 2A | Codice componente base |
Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA (ICBO) |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2126-TL-E | onsemi | 1 029 | 488-2SA2126-TL-ECT-ND | € 1,07000 | Diretto |
| 2SA2126-TL-H | onsemi | 16 | 2SA2126-TL-HOSCT-ND | € 0,93000 | Diretto |
| 2SB1201T-TL-E | onsemi | 1 120 | 2SB1201T-TL-EOSCT-ND | € 0,82000 | Simile |
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 2SB906-Y(TE16L1NQCT-ND | € 1,60000 | Simile |




