Name: FCB260N65S3
Brand: onsemi
SKU: 488-FCB260N65S3TR-ND
Price: 4.9654 EUR
Availability: InStock

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FCB260N65S3
Codice DigiKey	488-FCB260N65S3TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 488-FCB260N65S3CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 488-FCB260N65S3DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	FCB260N65S3
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 12 A (Tc) 90W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FCB260N65S3 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1,2mA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 24 nC @ 10 V
Serie SuperFET® III	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1010 pF @ 400 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 90W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 12 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base FCB260
RDSon (max) a Id, Vgs 260mohm a 6A, 10V

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In magazzino: 1 060

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	€ 1,39415	€ 1 115,32
1 600	€ 1,34019	€ 2 144,30

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 4,07000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 4,96540

FCB260N65S3