FQP9N08L onsemi | FET, MOSFET singoli

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FQP9N08L
Codice DigiKey	FQP9N08L-ND
Produttore	onsemi
Codice produttore	FQP9N08L
Descrizione	MOSFET N-CH 80V 9.3A TO220-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 80 V 9,3 A (Tc) 40W (Tc) Foro passante TO-220-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FQP9N08L Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 5V a 250µA
Produttore onsemi	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.1 nC @ 5 V
Serie QFET®	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Tubo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 280 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio Foro passante
Tensione drain/source (Vdss) 80 V	Contenitore del fornitore TO-220-3
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 9,3 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-220-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V	Codice componente base FQP9
RDSon (max) a Id, Vgs 210mohm a 4,65A, 10V

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FQP9N08L