Canale P 30 V 4,1A 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
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MDD3407

Codice DigiKey
3372-MDD3407TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
MDD3407
Descrizione
MOSFET P-CH -30V -4.1A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 4,1A 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Categoria
RDSon (max) a Id, Vgs
55mohm a 4A, 10V
Produttore
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Serie
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.2 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
493 pF @ 15 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
1,2W (Ta)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
SOT-23
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore/involucro
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
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