MDD2301
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MDD3407

Codice DigiKey
3372-MDD3407TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
MDD3407
Descrizione
MOSFET P-CH -30V -4.1A SOT23
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 30 V 4,1A 1,2W (Ta) A montaggio superficiale SOT-23
Scheda tecnica
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Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
55mohm a 4A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
493 pF @ 15 V
Dissipazione di potenza (max)
1,2W (Ta)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23
Contenitore/involucro
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Nastrato in bobina (TR)
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