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PUMF11,115 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-2417-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PUMF11,115 |
Descrizione | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP 50V, 40V 100mA 100MHz 300mW A montaggio superficiale 6-TSSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | PUMF11,115 Modelli |
Categoria | Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 150mV a 500µA, 10mA / 200mV a 5mA, 50mA |
Produttore Nexperia USA Inc. | Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Frequenza - Transizione 100MHz |
Stato componente Obsoleto | Potenza - Max 300mW |
Tipo di transistor 1 NPN pre-polarizzato, 1 PNP | Grado Automobilistico |
Corrente - Collettore (Ic) max 100mA | Qualifica AEC-Q100 |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50V, 40V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Resistore - Base (R1) 22kohm | Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Resistore - Base emettitore (R2) 47kohm | Contenitore del fornitore 6-TSSOP |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 80 a 5mA, 5V / 120 a 1mA, 6V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PUMD16-QX | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-PUMD16-QXTR-ND | € 0,03546 | Consigliato dal produttore |
| NSTB60BDW1T1G | onsemi | 3 095 | 488-NSTB60BDW1T1GCT-ND | € 0,22000 | Simile |
| NSVTB60BDW1T1G | onsemi | 1 865 | 488-NSVTB60BDW1T1GCT-ND | € 0,46000 | Simile |
| RN4988(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | 264-RN4988(TE85LF)CT-ND | € 0,28000 | Simile |




