PSMN9R1-30YL,115 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PSMN9R1-30YL,115
Codice DigiKey	1727-5435-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-5435-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-5435-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN9R1-30YL,115
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 57 A (Tc) 52W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,15V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 16.7 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 894 pF @ 15 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 57 A (Tc)	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Codice componente base PSMN9R1
RDSon (max) a Id, Vgs 9,1mohm a 15A, 10V

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In magazzino: 2 339

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,83000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,01260

PSMN9R1-30YL,115