Name: PSMN4R8-100YSEX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN4R8-100YSEXTR-ND
Price: 4.5872 EUR
Availability: OutOfStock

PSMN4R8-100YSEX è esaurito e può essere richiesto per un ordine arretrato.

Sostituti disponibili:

Simile

Renesas Electronics Corporation

In magazzino: 0

Prezzo unitario : € 0,56876

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

PSMN4R8-100YSEX
Codice DigiKey	1727-PSMN4R8-100YSEXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN4R8-100YSEXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN4R8-100YSEXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R8-100YSEX
Descrizione	PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 120 A (Tc) 294W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	120 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	4,8mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,6V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	120 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	8290 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	294W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Contenitore/involucro	SOT-1023, 4-LFPAK