PSMN4R0-40YS,115 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PSMN4R0-40YS,115
Codice DigiKey	1727-4273-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-4273-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-4273-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R0-40YS,115
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 100 A (Tc) 106W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN4R0-40YS,115 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2410 pF @ 20 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 106W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 4,2mohm a 15A, 10V	Codice componente base PSMN4R0

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

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Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1 500	€ 0,50626	€ 759,39

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,95200

PSMN4R0-40YS,115