PSMN4R0-30YL,115 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

Canale N 30 V 100 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8

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PSMN4R0-30YL,115
Codice DigiKey	1727-4167-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-4167-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-4167-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN4R0-30YL,115
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 100 A (Tc) 69W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,15V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 36.6 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2090 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 69W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 100 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 4mohm a 15A, 10V	Codice componente base PSMN4R0

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
NTMFS4120NT1G	onsemi	131 257	NTMFS4120NT1GOSTR-ND	€ 0,54393	Simile
NTMFS4836NT1G	onsemi	115 775	NTMFS4836NT1GOSTR-ND	€ 0,49295	Simile
NTMFS4847NT1G	onsemi	9 000	NTMFS4847NT1G-ND	€ 0,40796	Simile

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 1,12000	€ 1,12
10	€ 0,70800	€ 7,08
100	€ 0,46780	€ 46,78

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,12000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,36640

PSMN4R0-30YL,115

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