
PSMN1R9-80SSEJ | |
|---|---|
cms-digikey-product-number | 1727-PSMN1R9-80SSEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R9-80SSEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R9-80SSEJDKR-ND - Digi-Reel® |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | PSMN1R9-80SSEJ |
cms-description | APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE |
cms-standard-lead-time | 16 settimane |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | Canale N 80 V 286A (Tc) 340W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK88 (SOT1235) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
cms-eda-cad-models | PSMN1R9-80SSEJ Modelli |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
|---|---|---|
cms-category | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 80 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 1,9mohm a 25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,6V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 232 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 17140 pF @ 40 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 340W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | LFPAK88 (SOT1235) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| cms-quantity | Prezzo unitario | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 1 | € 6,68000 | € 6,68 |
| 10 | € 4,50000 | € 45,00 |
| 50 | € 3,56640 | € 178,32 |
| 100 | € 3,26610 | € 326,61 |
| cms-quantity | Prezzo unitario | cms-ext-price |
|---|---|---|
| 2 000 | € 2,82145 | € 5 642,90 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,68000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 8,14960 |










