PSMNR82-30YLEX
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PSMN1R9-40YSDX

Codice DigiKey
1727-PSMN1R9-40YSDXTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-PSMN1R9-40YSDXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-PSMN1R9-40YSDXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Nexperia USA Inc.
Codice produttore
PSMN1R9-40YSDX
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 200 A (Tc) 194W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
PSMN1R9-40YSDX Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Nexperia USA Inc.
Serie
TrenchMOS™
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
200 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
1,9mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id
3,6V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6198 pF @ 20 V
Funzione FET
Diodo Schottky (body)
Dissipazione di potenza (max)
194W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
LFPAK56, Power-SO8
Contenitore/involucro
SC-100, SOT-669
Codice componente base
PSMN1R9
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In magazzino: 918
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1€ 2,60000€ 2,60
10€ 1,67600€ 16,76
50€ 1,27800€ 63,90
100€ 1,14940€ 114,94
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1 500€ 0,54613€ 819,20
3 000€ 0,50583€ 1 517,49
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:€ 2,60000
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 3,17200