Name: PSMN1R9-40YSDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R9-40YSDXTR-ND
Price: 2.9036 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R9-40YSDX
Codice DigiKey	1727-PSMN1R9-40YSDXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R9-40YSDXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R9-40YSDXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R9-40YSDX
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 200 A (Tc) 194W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN1R9-40YSDX Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,6V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 80 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 6198 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (body)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 194W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 1,9mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN1R9

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In magazzino: 918

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Tutti i prezzi sono in EUR

Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 2,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 2,90360

PSMN1R9-40YSDX