Name: PSMN1R7-40YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND
Price: 2.9646 EUR
Availability: InStock

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PSMN1R7-40YLDX
Codice DigiKey	1727-PSMN1R7-40YLDXTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN1R7-40YLDXCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN1R7-40YLDXDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN1R7-40YLDX
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 200A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	13 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 200 A (Tc) 194W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,05V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 109 nC @ 10 V
Serie TrenchMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7966 pF @ 20 V
Stato componente Attivo	Funzione FET Diodo Schottky (body)
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 194W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 40 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 200 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SC-100, SOT-669
RDSon (max) a Id, Vgs 1,8mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN1R7