Name: PSMN0R9-30YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1858-2-ND
Price: 2.4522 EUR
Availability: InStock

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PSMN0R9-30YLDX
Codice DigiKey	1727-1858-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1858-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1858-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN0R9-30YLDX
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 300 A (Tc) 291W A montaggio superficiale LFPAK56; Power-SO8
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN0R9-30YLDX Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,2V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 109 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 7668 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 291W
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 300 A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK56; Power-SO8
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro SOT-1023, 4-LFPAK
RDSon (max) a Id, Vgs 0,87mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN0R9