Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile
Simile

PSMN027-100BS,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-7210-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PSMN027-100BS,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 37 A (Tc) 103W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 30 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1624 pF @ 50 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 103W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 26,8mohm a 15A, 10V | Codice componente base |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| PHB47NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | 7 200 | 1727-4767-1-ND | € 2,33000 | Simile |
| FDB3672-F085 | onsemi | 296 | FDB3672-F085CT-ND | € 2,75000 | Simile |
| FDB86102LZ | onsemi | 282 | FDB86102LZCT-ND | € 2,46000 | Simile |
| FQB55N10TM | onsemi | 1 559 | FQB55N10TMCT-ND | € 2,86000 | Simile |
| HUF75639S3ST | onsemi | 0 | HUF75639S3STCT-ND | € 3,14000 | Simile |









