PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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PMZB320UPEYL
Codice DigiKey	1727-2329-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2329-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2329-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMZB320UPEYL
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1 A (Ta) 350mW (Ta), 6,25W (Tc) A montaggio superficiale DFN1006B-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.4 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 122 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta), 6,25W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Ta)	Contenitore del fornitore DFN1006B-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro 3-XFDFN
RDSon (max) a Id, Vgs 510mohm a 1A, 4,5V	Codice componente base PMZB320

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