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onsemi
In magazzino: 3 554
Prezzo unitario : € 0,49000
Scheda tecnica

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Taiwan Semiconductor Corporation
In magazzino: 1 171
Prezzo unitario : € 0,65000
Scheda tecnica
Canale N 20 V 2,8 A (Ta) 940mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB
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PMV65UNEAR

Codice DigiKey
1727-8342-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
PMV65UNEAR
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 2,8 A (Ta) 940mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
6 nC @ 4.5 V
Produttore
Vgs (max)
±8V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
291 pF @ 10 V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Dissipazione di potenza (max)
940mW (Ta)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,8V, 4,5V
Contenitore del fornitore
TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs
73mohm a 2,8A, 4,5V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (2)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MGSF2N02ELT1Gonsemi3 554MGSF2N02ELT1GOSCT-ND€ 0,49000Simile
TSM2302CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation1 1711801-TSM2302CXRFGCT-ND€ 0,65000Simile
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