PMV55ENEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale N 60 V 3,1 A (Ta) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV55ENEAR
Codice DigiKey	1727-PMV55ENEARTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMV55ENEARCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMV55ENEARDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV55ENEAR
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 3.1A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 3,1 A (Ta) 478mW (Ta), 8,36W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 646 pF @ 30 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 478mW (Ta), 8,36W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3,1 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 3,1 A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 2,7V a 250µA	Codice componente base PMV55

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FDN5632N-F085	onsemi	4 948	FDN5632N-F085CT-ND	€ 0,94000	Simile
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