PMV50EPEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale P 30 V 4,2 A (Ta) 310mW (Ta), 455mW (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV50EPEAR
Codice DigiKey	1727-2727-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2727-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2727-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV50EPEAR
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 4.2A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 4,2 A (Ta) 310mW (Ta), 455mW (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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Modelli EDA/CAD	PMV50EPEAR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 19.2 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 793 pF @ 15 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 310mW (Ta), 455mW (Tc)
Tipo FET Canale P	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,2 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs 45mohm a 4,2A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 3V a 250µA	Codice componente base PMV50

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FDN358P	onsemi	0	FDN358PCT-ND	€ 0,70000	Simile
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TSM650P03CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	60 828	TSM650P03CXRFGCT-ND	€ 0,54000	Simile

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