Name: PMV15ENER
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PMV15ENERTR-ND
Price: 0.5734 EUR
Availability: OutOfStock

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Taiwan Semiconductor Corporation

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PMV15ENER
Codice DigiKey	1727-PMV15ENERTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PMV15ENERCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PMV15ENERDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV15ENER
Descrizione	PMV15ENE/SOT23/TO-236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,2 A (Ta) 700mW (Ta), 8,3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMV15ENER Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,2 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	20mohm a 5,8A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	440 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	700mW (Ta), 8,3W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-236AB
Contenitore/involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Nastrato in bobina (TR)