PMV15ENEAR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale N 30 V 6,2 A (Ta) 700mW (Ta), 8,3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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PMV15ENEAR
Codice DigiKey	1727-8588-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-8588-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-8588-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PMV15ENEAR
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 6,2 A (Ta) 700mW (Ta), 8,3W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 14 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 15 V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 8,3W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Grado Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Qualifica AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 6,2 A (Ta)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore del fornitore TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs 20mohm a 5,8A, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA	Codice componente base PMV15

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FDN537N	onsemi	10 763	FDN537NCT-ND	€ 0,96000	Simile
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