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Scheda tecnica
Canale N 40 V 2,1 A (Ta) 460mW (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
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PMV130ENEAR

Codice DigiKey
1727-2299-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
1727-2299-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
1727-2299-6-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
PMV130ENEAR
Descrizione
MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 40 V 2,1 A (Ta) 460mW (Ta), 5W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
PMV130ENEAR Modelli
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
3.6 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
170 pF @ 20 V
Stato componente
Fuori produzione presso DigiKey
Dissipazione di potenza (max)
460mW (Ta), 5W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Grado
Automobilistico
Tensione drain/source (Vdss)
40 V
Qualifica
AEC-Q101
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
Contenitore del fornitore
TO-236AB
RDSon (max) a Id, Vgs
120mohm a 1,5A, 10V
Contenitore/involucro
Vgs(th) max a Id
2,5V a 250µA
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (3)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
MMFTN2362-AQDiotec Semiconductor3884878-MMFTN2362-AQCT-ND€ 0,20000Simile
PJA3440-AU_R1_000A1Panjit International Inc.83757-PJA3440-AU_R1_000A1CT-ND€ 0,36000Simile
TSM2318CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation119 899TSM2318CXRFGCT-ND€ 0,95000Simile
In magazzino: 0
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