PDTA114EQAZ Nexperia USA Inc. | Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati

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PDTA114EQAZ
Codice DigiKey	PDTA114EQAZ-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PDTA114EQAZ
Descrizione	TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli pre-polarizzati PNP - pre-polarizzato 50 V 100 mA 180 MHz 280 mW A montaggio superficiale DFN1010D-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistori bipolari singoli, pre-polarizzati	Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 150mV a 500µA, 10mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Corrente - Interruzione collettore (max) 1µA
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Frequenza - Transizione 180 MHz
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Potenza - Max 280 mW
Tipo di transistor PNP - pre-polarizzato	Grado Automobilistico
Corrente - Collettore (Ic) max 100 mA	Qualifica AEC-Q101
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 50 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Resistori inclusi R1 e R2	Contenitore/involucro 3-XDFN piazzola esposta
Resistore - Base (R1) 10 kOhms	Contenitore del fornitore DFN1010D-3
Resistore - Base emettitore (R2) 10 kOhms	Codice componente base PDTA114
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 30 a 5mA, 5V

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