PBSS306NX,115 Nexperia USA Inc. | Transistor bipolari singoli

Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 100 V 4.5 A 110MHz 2.1 W A montaggio superficiale SOT-89

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PBSS306NX,115
Codice DigiKey	1727-5426-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-5426-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-5426-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PBSS306NX,115
Descrizione	TRANS NPN 100V 4.5A SOT-89
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli NPN 100 V 4.5 A 110MHz 2.1 W A montaggio superficiale SOT-89
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PBSS306NX,115 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor Bipolare (BJT) Transistor bipolari singoli	Potenza - Max 2.1 W
Produttore Nexperia USA Inc.	Frequenza - Transizione 110MHz
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Temperatura di funzionamento 150°C (TJ)
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Grado Automobilistico
Tipo di transistor NPN	Qualifica AEC-Q100
Corrente - Collettore (Ic) max 4.5 A	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) 100 V	Contenitore/involucro TO-243AA
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic 245mV a 225mA, 4,5A	Contenitore del fornitore SOT-89
Corrente - Interruzione collettore (max) 100 nA (ICBO)	Codice componente base PBSS306
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce 100 a 2A, 2V

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
ZXTN2011ZTA	Diodes Incorporated	0	31-ZXTN2011ZTACT-ND	€ 1,29000	Diretto
2SC3646S-TD-E	onsemi	6 085	2SC3646S-TD-EOSCT-ND	€ 0,82000	Simile
2SC3646T-TD-E	onsemi	58	2SC3646T-TD-EOSCT-ND	€ 0,74000	Simile
2SC3647S-TD-E	onsemi	266	2SC3647S-TD-EOSCT-ND	€ 0,87000	Simile
2SC3647T-TD-E	onsemi	783	2SC3647T-TD-EOSCT-ND	€ 0,93000	Simile

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