NXV90EPR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 340mW (Ta), 2,1W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB

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NXV90EPR
Codice DigiKey	1727-NXV90EPRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-NXV90EPRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-NXV90EPRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	NXV90EPR
Descrizione	NXV90EP/SOT23/TO-236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 30 V 1,5 A (Ta) 340mW (Ta), 2,1W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 1,5A, 10V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs(th) max a Id 2,5V a 250µA
Serie TrenchMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.7 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 252 pF @ 15 V
Tipo FET Canale P	Dissipazione di potenza (max) 340mW (Ta), 2,1W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,5 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Sostituti (2)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
MMFTP3160	Diotec Semiconductor	0	4878-MMFTP3160CT-ND	€ 0,08000	Simile
PJA3405_R1_00001	Panjit International Inc.	5 343	3757-PJA3405_R1_00001CT-ND	€ 0,26000	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	€ 0,38000	€ 0,38

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Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 0,38000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 0,46360

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