NXV55UNR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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NXV55UNR
Codice DigiKey	1727-NXV55UNRTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-NXV55UNRCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-NXV55UNRDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	NXV55UNR
Descrizione	NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 1,9 A (Ta) 340mW (Ta), 2,1W (Tc) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NXV55UNR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 66mohm a 1,9A, 4,5V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs(th) max a Id 900mV a 250µA
Serie TrenchMOS™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.7 nC @ 4.5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±8V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 352 pF @ 15 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 340mW (Ta), 2,1W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1,9 A (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 1,5V, 4,5V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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