NX138AKR Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

Canale N 60 V 190mA (Ta) 325mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB

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NX138AKR
Codice DigiKey	1727-2731-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2731-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2731-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	NX138AKR
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 60 V 190mA (Ta) 325mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	NX138AKR Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 1,5V a 250µA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 1.4 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20 pF @ 30 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 325mW (Ta)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 190mA (Ta)	Contenitore del fornitore TO-236AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 2,5V, 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 4,5ohm a 190mA, 10V	Codice componente base NX138

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Sostituti (3)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
2N7002A-7	Diodes Incorporated	29 126	2N7002A-7DICT-ND	€ 0,18000	Simile
RK7002BMT116	Rohm Semiconductor	20 095	RK7002BMT116CT-ND	€ 0,17000	Simile
TSM2N7002AKCX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	3 414	1801-TSM2N7002AKCXRFGCT-ND	€ 0,19000	Simile

In magazzino: 47 857

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3 000	€ 0,02459	€ 73,77
6 000	€ 0,02184	€ 131,04
9 000	€ 0,02044	€ 183,96
15 000	€ 0,01887	€ 283,05
21 000	€ 0,01793	€ 376,53
30 000	€ 0,01702	€ 510,60