Name: GAN7R0-150LBEZ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND
Price: 4.1846 EUR
Availability: InStock

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GAN7R0-150LBEZ
Codice DigiKey	1727-GAN7R0-150LBEZTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-GAN7R0-150LBEZCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-GAN7R0-150LBEZDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN7R0-150LBEZ
Descrizione	150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 150 V 28A 28W A montaggio superficiale 3-FCLGA (3,2x2,2)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	GAN7R0-150LBEZ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,1V a 5mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 7.6 nC @ 5 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +6V, -4V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 865 pF @ 85 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 28W
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 150 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 28A	Contenitore del fornitore 3-FCLGA (3,2x2,2)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V	Contenitore/involucro 3-VLGA
RDSon (max) a Id, Vgs 7mohm a 10A, 5V	Codice componente base GAN7R0