GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Nexperia USA Inc.

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Prezzo unitario : € 12,66000

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GAN063-650WSAQ
Codice DigiKey	1727-GAN063-650WSAQ-ND
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	GAN063-650WSAQ
Descrizione	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 34,5 A (Tc) 143W (Tc) Foro passante TO-247-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	GAN063-650WSAQ Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 15 nC @ 10 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1000 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 143W (Tc)
Tecnologia GaNFET (FET cascode al nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio Foro passante
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 34,5 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-247-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-247-3
RDSon (max) a Id, Vgs 60mohm a 25A, 10V	Codice componente base GAN063

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
GAN041-650WSBQ	Nexperia USA Inc.	175	1727-GAN041-650WSBQ-ND	€ 12,66000	Consigliato dal produttore

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