Equivalente parametrico

PSMN2R8-40YSD/2X | |
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Codice DigiKey | 1727-PSMN2R8-40YSD/2XTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | PSMN2R8-40YSD/2X |
Descrizione | PSMN2R8-40YSD/SOT669/LFPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 40 V 160 A (Tc) 147W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK56, Power-SO8 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,6V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 62 nC @ 10 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 4507 pF @ 20 V |
Tipo FET | Funzione FET Diodo Schottky (body) |
Tecnologia | Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc) |
Tensione drain/source (Vdss) 40 V | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore del fornitore LFPAK56, Power-SO8 |
RDSon (max) a Id, Vgs 2,8mohm a 25A, 10V | Contenitore/involucro |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
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| PSMN2R8-40YSDX | Nexperia USA Inc. | 4 592 | 1727-PSMN2R8-40YSDXCT-ND | € 1,63000 | Equivalente parametrico |


