
BUK964R8-60E,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-7261-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-7261-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK964R8-60E,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 100 A (Tc) 234W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BUK964R8-60E,118 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 65 nC @ 5 V |
Produttore | Vgs (max) ±10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 9710 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 234W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 4,4mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB050AN06A0 | onsemi | 624 | FDB050AN06A0CT-ND | € 3,03000 | Simile |
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | 2 400 | IRFS3207TRLPBFCT-ND | € 4,49000 | Simile |
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 7 718 | IRFS3306TRLPBFCT-ND | € 3,72000 | Simile |
| N0601N-ZK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 3 148 | 559-N0601N-ZK-E1-AYCT-ND | € 3,32000 | Simile |
| STB100N6F7 | STMicroelectronics | 1 000 | 497-15894-1-ND | € 1,99000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 3,19000 | € 3,19 |
| 10 | € 2,07800 | € 20,78 |
| 100 | € 1,44920 | € 144,92 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 3,19000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 3,89180 |

