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BUK964R2-60E,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-1100-2-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK964R2-60E,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 100 A (Tc) 263W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BUK964R2-60E,118 Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 72 nC @ 5 V |
Produttore | Vgs (max) ±10V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 11380 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Dissipazione di potenza (max) 263W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 60 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 5V, 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 3,9mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,1V a 1mA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB035AN06A0 | onsemi | 5 010 | FDB035AN06A0CT-ND | € 5,82000 | Simile |
| FDB045AN08A0 | onsemi | 165 | FDB045AN08A0CT-ND | € 4,29000 | Simile |
| FDB050AN06A0 | onsemi | 624 | FDB050AN06A0CT-ND | € 3,03000 | Simile |
| IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | 7 718 | IRFS3306TRLPBFCT-ND | € 3,72000 | Simile |
| IXTA230N075T2 | IXYS | 347 | IXTA230N075T2-ND | € 7,78000 | Simile |




