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BUK7626-100B,118 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-4705-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-4705-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | BUK7626-100B,118 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 49 A (Tc) 157W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 38 nC @ 10 V |
Produttore | Vgs (max) ±20V |
Serie | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2891 pF @ 25 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Dissipazione di potenza (max) 157W (Tc) |
Stato componente Obsoleto | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Automobilistico |
Tecnologia | Qualifica AEC-Q101 |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore D2PAK |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Contenitore/involucro |
RDSon (max) a Id, Vgs 26mohm a 25A, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 4V a 1mA |
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Sostituti (12)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| DI056N10D2-AQ | Diotec Semiconductor | 0 | 4878-DI056N10D2-AQTR-ND | € 0,74971 | Simile |
| FDB86102LZ | onsemi | 282 | FDB86102LZCT-ND | € 2,46000 | Simile |
| FQB55N10TM | onsemi | 1 559 | FQB55N10TMCT-ND | € 2,86000 | Simile |
| HUF75639S3ST | onsemi | 0 | HUF75639S3STCT-ND | € 3,14000 | Simile |
| HUF76639S3ST | onsemi | 898 | HUF76639S3STFSCT-ND | € 2,76000 | Simile |
In magazzino: 28
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastro pre-tagliato (CT)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | € 2,09000 | € 2,09 |
| 10 | € 1,34100 | € 13,41 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 2,09000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 2,54980 |
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