BUK6D120-60PX Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale P 60 V 3 A (Ta), 8 A (Tc) 2,3W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale DFN2020MD-6

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BUK6D120-60PX
Codice DigiKey	1727-8337-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-8337-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-8337-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BUK6D120-60PX
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 60 V 3 A (Ta), 8 A (Tc) 2,3W (Ta), 15W (Tc) A montaggio superficiale DFN2020MD-6
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 18 nC @ 10 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 724 pF @ 30 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 2,3W (Ta), 15W (Tc)
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 60 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 3 A (Ta), 8 A (Tc)	Contenitore del fornitore DFN2020MD-6
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 6-UDFN piazzola esposta
RDSon (max) a Id, Vgs 120mohm a 3A, 10V	Codice componente base BUK6D120
Vgs(th) max a Id 3,2V a 250µA

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