BSS84AKM,315 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET singoli

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Canale P 50 V 230mA (Ta) 340mW (Ta), 2,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-883

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BSS84AKM,315
Codice DigiKey	1727-1263-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-1263-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-1263-6-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	BSS84AKM,315
Descrizione	MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale P 50 V 230mA (Ta) 340mW (Ta), 2,7W (Tc) A montaggio superficiale SOT-883
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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.35 nC @ 5 V
Produttore Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Serie TrenchMOS™	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 36 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 340mW (Ta), 2,7W (Tc)
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale P	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 50 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 230mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-883
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SC-101, SOT-883
RDSon (max) a Id, Vgs 7,5ohm a 100mA, 10V	Codice componente base BSS84
Vgs(th) max a Id 2,1V a 250µA

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