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2N7002PSZ | |
|---|---|
Codice DigiKey | 2N7002PSZ-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | 2N7002PSZ |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 60V 320mA (Ta) 280mW A montaggio superficiale 6-TSSOP |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | 2N7002PSZ Modelli |
Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 0,8nC a 4,5V |
Produttore Nexperia USA Inc. | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 50pF a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Potenza - Max 280mW |
Stato componente Non per nuovi progetti | Temperatura di funzionamento 150°C (TJ) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Grado Automobilistico |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Qualifica AEC-Q101 |
Funzione FET Porta a livello logico | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 60V | Contenitore/involucro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 320mA (Ta) | Contenitore del fornitore 6-TSSOP |
RDSon (max) a Id, Vgs 1,6ohm a 500mA, 10V | Codice componente base |
Vgs(th) max a Id 2,4V a 250µA |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002ET1G | onsemi | 64 629 | 2N7002ET1GOSCT-ND | € 0,19000 | Diretto |
| 2N7002KT1G | onsemi | 210 640 | 2N7002KT1GOSCT-ND | € 0,18000 | Diretto |
| NTJD5121NT1G | onsemi | 198 913 | NTJD5121NT1GOSCT-ND | € 0,25000 | Diretto |
| 2V7002KT1G | onsemi | 0 | 2V7002KT1GOSCT-ND | € 0,23000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 10 000 | € 0,04273 | € 427,30 |
| 20 000 | € 0,03890 | € 778,00 |
| 30 000 | € 0,03695 | € 1 108,50 |
| 50 000 | € 0,03476 | € 1 738,00 |
| 70 000 | € 0,03346 | € 2 342,20 |
| 100 000 | € 0,03220 | € 3 220,00 |
| 250 000 | € 0,03007 | € 7 517,50 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,04273 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,05213 |




