Name: NV6012C-RA
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6012C-RATR-ND
Price: 1.9398 EUR
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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NV6012C-RA
Codice DigiKey	1913-NV6012C-RATR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-NV6012C-RACT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-NV6012C-RADKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	NV6012C-RA
Descrizione	GANFAST DISCRETE 650V 450MOHM PQ
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 700 V 2,7 A (Tc) 25,4W (Tc) A montaggio superficiale 8-QFN (5x6)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 600mohm a 1,35A, 7V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) max a Id 2,8V a 2,3mA
Serie GaNFast™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 0.85 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 28 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 25,4W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 700 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 2,7 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-QFN (5x6)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 7V	Contenitore/involucro 8-PowerVDFN

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di € 5,50.

Nastrato in bobina (TR)

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 1,59000
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 1,93980

NV6012C-RA