Name: TN5335K1-G
Brand: Microchip Technology
SKU: TN5335K1-GTR-ND
Price: 1.037 EUR
Availability: InStock

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TN5335K1-G
Codice DigiKey	TN5335K1-GTR-ND - Nastrato in bobina (TR) TN5335K1-GCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) TN5335K1-GDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	TN5335K1-G
Descrizione	MOSFET N-CH 350V 110MA SOT23
Tempi di consegna standard del produttore	8 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 350 V 110mA (Tj) 360mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23 (TO-236AB)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	TN5335K1-G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 1mA
Produttore Microchip Technology	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 110 pF @ 25 V
Stato componente Attivo	Dissipazione di potenza (max) 360mW (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 350 V	Contenitore del fornitore SOT-23 (TO-236AB)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 110mA (Tj)	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 3V, 10V	Codice componente base TN5335
RDSon (max) a Id, Vgs 15ohm a 200mA, 10V