1N5809US/TR
Codice DigiKey	150-1N5809US/TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Microchip Technology
Codice produttore	1N5809US/TR
Descrizione	DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF
Tempi di consegna standard del produttore	34 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Diodi 100 V 3A A montaggio superficiale B, SQ-MELF
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Diodi Raddrizzatori Diodi singoli	Velocità Recupero rapido =< 500ns, > 200mA (Io)
Produttore Microchip Technology	Tempo di recupero inverso (Trr) 30 ns
Confezionamento Nastrato in bobina (TR)	Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 100 V
Stato componente Attivo	Capacità a Vr, F 60pF a 10V, 1MHz
Tecnologia Standard	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione - Inversione c.c. (Vr) max 100 V	Contenitore/involucro SQ-MELF, B
Corrente - Media rettificata (Io) 3A	Contenitore del fornitore B, SQ-MELF
Tensione - Diretta (Vf) max a If 875 mV @ 4 A	Temp. di funzionamento - Giunzione -65°C ~ 175°C

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Sostituti (17)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
1N5809URS	Microchip Technology	0	150-1N5809URS-ND	€ 30,05410	Equivalente parametrico
1N5809URS/TR	Microchip Technology	0	150-1N5809URS/TRCT-ND	€ 27,44000	Equivalente parametrico
1N5809US	Microchip Technology	736	1N5809US-ND	€ 6,89000	Equivalente parametrico
JAN1N5809URS	Microchip Technology	0	1086-19441-ND	€ 15,37010	Equivalente parametrico
JAN1N5809URS/TR	Microchip Technology	0	150-JAN1N5809URS/TR-ND	€ 15,50200	Equivalente parametrico

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Quantità

Tutti i prezzi sono in EUR

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
109	€ 7,66523	€ 835,51

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	€ 7,66523
Prezzo unitario IVA inclusa:	€ 9,35158

1N5809US/TR

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