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Scheda tecnica
Canale N 100 V 2A 1,2W A montaggio superficiale SOT-23
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Canale N 100 V 2A 1,2W A montaggio superficiale SOT-23
SOT 23

SI2324-TP

Codice DigiKey
353-SI2324-TP-ND
Produttore
Codice produttore
SI2324-TP
Descrizione
MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 2A 1,2W A montaggio superficiale SOT-23
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
-
Confezionamento
Sfuso
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs
234mohm a 1,5A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
5.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
190 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
SOT-23
Contenitore/involucro
Codice componente base
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