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MSJAC11N65B-TP | |
|---|---|
Codice DigiKey | 353-MSJAC11N65B-TPTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | MSJAC11N65B-TP |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060 |
Tempi di consegna standard del produttore | 52 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 11A 89W (Tc) A montaggio superficiale DFN5060 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 380mohm a 3,2A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 21 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 791 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 89W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | DFN5060 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 5 000 | € 0,60780 | € 3 039,00 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 0,60780 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 0,74152 |
Italia