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Equivalente parametrico


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Canale P 50 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale P 50 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY32P05T

Codice DigiKey
IXTY32P05T-ND
Produttore
Codice produttore
IXTY32P05T
Descrizione
MOSFET P-CH 50V 32A TO252
Tempi di consegna standard del produttore
38 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale P 50 V 32 A (Tc) 83W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4,5V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
46 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±15V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1975 pF @ 25 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
83W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
50 V
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
39mohm a 16A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
IXTY32P05T-TRLIXYS0238-IXTY32P05T-TRLTR-ND€ 1,96539Equivalente parametrico
DMP4047SK3-13Diodes Incorporated27 911DMP4047SK3-13DICT-ND€ 0,91000Simile
RSD160P05TLRohm Semiconductor0RSD160P05TLCT-ND€ 1,31000Simile
TJ10S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and Storage951264-TJ10S04M3L(T6L1,NQCT-ND€ 1,72000Simile
TJ15P04M3,RQ(SToshiba Semiconductor and Storage3 815264-TJ15P04M3RQ(SCT-ND€ 1,38000Simile
Disponibile su ordinazione
Scorte di fabbrica: 2 730
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
350€ 1,96540€ 687,89
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Prezzo unitario IVA esclusa:€ 1,96540
Prezzo unitario IVA inclusa:€ 2,39779