IXTY1N80 IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXTY1N80
Codice DigiKey	IXTY1N80-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTY1N80
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 750mA (Tc) 40W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4,5V a 25µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8.5 nC @ 10 V
Confezionamento Scatola	Vgs (max) ±20V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 220 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 750mA (Tc)	Contenitore del fornitore TO-252AA
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
RDSon (max) a Id, Vgs 11ohm a 500mA, 10V	Codice componente base IXTY1

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Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
RFD3055LESM9A	onsemi	20 400	RFD3055LESM9ACT-ND	€ 1,09000	Simile
STD1NK80ZT4	STMicroelectronics	2 964	497-4751-1-ND	€ 1,52000	Simile

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