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Canale N 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
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Canale N 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
TO-252AA

IXTY01N80

Codice DigiKey
IXTY01N80-ND
Produttore
IXYS
Codice produttore
IXTY01N80
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
IXYS
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Obsoleto
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
800 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
100mA (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
50ohm a 100mA, 10V
Vgs(th) max a Id
4,5V a 25µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
60 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
25W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
IXTY01
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