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IXTT170N10P-TR | |
|---|---|
Codice DigiKey | 238-IXTT170N10P-TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IXTT170N10P-TR |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 170A TO268 |
Tempi di consegna standard del produttore | 37 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 170 A (Tc) 715W (Tc) A montaggio superficiale TO-268 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V, 15V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 9mohm a 85A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 5V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 198 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6000 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 715W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-268 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Disponibile su ordinazione
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Quantità
Tutti i prezzi sono in EUR
Nastrato in bobina (TR)
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 400 | € 6,00645 | € 2 402,58 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | € 6,00645 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | € 7,32787 |
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